Перейти к содержимому
Знак НПИ Химической КинетикиНПИ ХКНаучно-производственный институт Химической Кинетики +7 (495) 128-09-31
06 / 08НИОКРМикроэлектроника

Структурирование нитрида галлия на атомарном уровне

Полупроводники
Иллюстрация · Микроэлектроника

Технология волнового 3D позиционирования воздействует на расположение и структурирование субъединиц целевого материала, что делает возможным глубоко структурировать отдельные атомы в расплаве нитрида галлия (GaN).

Контекст

Отставание отрасли

Полупроводниковая промышленность, которая без преувеличения имеет стратегическое значение для развития и обеспечения технологического суверенитета, является одним из приоритетных направлений мировой экономики.

Несмотря на концептуальную примитивность метода газового осаждения — основы текущих технологий изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем — российская полупроводниковая промышленность на десятилетия отстала от лидеров рынка и до сих пор не может превзойти нанометровый техпроцесс, которым уже обладают мировые лидеры.

Технология

Другой путь вместо догоняющего

С помощью технологии волнового 3D позиционирования происходит воздействие на расположение и структурирование субъединиц целевого материала, что делает возможным глубоко структурировать отдельные атомы в расплаве нитрида галлия (GaN) — перспективного, благодаря ширине запрещённой зоны, материала для полупроводниковой промышленности.

Это не попытка повторить чужой техпроцесс, а переход на другой принцип формирования структуры, где точность задаётся полем, а не литографией.

Результат

Экономическая эффективность и безопасность

Экономическую эффективность данной технологии сложно переоценить. Это не только экономия значительных ресурсов и времени на развитие «вчерашних» технологий, не позволяющих занять лидирующие позиции на рынке, но и самое важное — обеспечение отечественной технологической безопасности.

Дополнительно это новая, ощутимая статья дохода и увеличение доли российской высокотехнологичной продукции на внешних рынках.

Полупроводники
GaN

Структурирование отдельных атомов в расплаве нитрида галлия

материал с широкой запрещённой зоной

Наше решение предлагает

Что вы получаете

  • 01

    Экономия ресурсов и времени на развитие технологий

  • 02

    Глубокое структурирование отдельных атомов

  • 03

    Стабильность поставок

  • 04

    Увеличение экспорта высокотехнологичной продукции

Снимки

Направление в деталях

Полупроводниковые компоненты
Полупроводниковые компоненты
Микроэлектроника
Микроэлектроника
Интегральные схемы
Интегральные схемы
← НефтьЭкология →
Обратная связь

Обсудим применение на вашем производстве

Опишите задачу и параметры процесса — специалисты института оценят применимость технологии и ожидаемый эффект.